एन्टि एन्टी परावर्तनशील फिल्मको निर्माण प्रक्रिया

प्राविधिक प्रक्रिया
विकास सामग्री र ग्यास स्रोतहरू प्रदान गर्नुहोस्: SO Astauds मा sih सामग्रीहरू जस्तै विकास सामग्रीहरू अनुरूप विकास स्रोतहरू प्रदान गर्दै, जस्तै SIH ₄, n ₂ ₄ ₂ ग्यास स्रोत संयोजनहरू।
एन्टि एन्टिमेन्ट लेयरको गठन: समान बृद्धि सामग्रीको सब भन्दा कम सेन्टेन फिल्मको कम्तिमा दुई एन्टि रिफ्लिक्ड फिल्महरूको सब भन्दा बढी एन्टि रिफ्र्याक्शन फिल्महरू। सब्सट्रेट तहले SIO लेयर, SI लेयर, र फिल्मको बृद्धिको दिशामा अनुक्रममा SIL लेयर र शोषण गर्ने तह पनि समावेश गर्न सक्दछ। दुई {2 2}} लेयरी एन्टिन्क्शन तह (पहिलो एन्टि एन्टिक्शन लेयर र दोस्रो एन्टिक्रिप्ट्स लेयर) एक उदाहरणको रूपमा, यो एपिट्याजिकल बृद्धि प्रक्रिया द्वारा गठन गरिएको छ (जस्तै प्लाज्माले बृद्धि भएको रक्तसायन वाष्णु जनवरी)। विशिष्ट चरणहरू निम्नानुसार छन्:
सब्सट्रेट शास्त्रीय प्रक्रिया: सब्सट्रेट तहमा अर्धन्डन्डरकय सफा प्रक्रिया पछि, CVD जम्मा उपकरणमा सब्सट्रेट तह राख्नुहोस्।
उपकरण प्यारामिटर सेटिंग्स: CVD डिप्रेशन उपकरणको माथिल्लो इलेक्ट्रिकको तापमान कन्ट्री 200--300 डिग्री र कम इलेक्ट्रोड तापमान 2 2500--3500 डिग्रीसम्म।
पहिलो एन्टि एन्टि रिबिन्ट लेयरको वृद्धि: एनईभी डलर उपकरणको पहिलो मतयात प्यारामिटरहरू समायोजित गर्नुहोस्, एन ₂ o, र पहिलो ग्याँट दबाव, पहिलो आरएफआईएस फ्री पावर, को एक संयोजन र एक रिजर्टिभ अनुक्रमणिका दायरा को लागी। 1.4-11.71।
दोस्रो एन्टि एन्टि रिफ्र्याक्शनली लेयरको विकास: सीवीडी जम्मा उपकरणको दोस्रो खण्डहरू समायोजित गर्नुहोस्, N ₂ O, र दोस्रो एन्टिन्स फ्रिक्सन लेयर, 10-200 सम्मको दोस्रो आरएफ पावर। अस्वीकृति सूचकांक 1.4-11.711 को।

प्राविधिक योग्यहरू
त्यस्तै बृद्धि सामग्रीको प्रयोग गरेर, एन्टि रिक्सन फिल्मले तयारी प्रक्रियाको कठिनाईको भण्डार र ग्यास स्रोतको दायित्व कम गर्यो भने, ग्यास स्रोतको कारण प्रयोग गरिएको ग्यास स्रोतहरूको प्रकारहरू कम गर्ने, र ग्यास स्रोतको कारण प्रयोग गरिएको ग्यास स्रोतको प्रकारहरू र कार्य क्षेत्र बढाउन विभिन्न सामग्रीको प्रकारलाई कम गर्दछ।

हाइब्रिड SIO ₂ / TIO io एन्टि एन्सी परावर्तनशील फिल्मको निर्माण प्रक्रिया

प्राविधिक प्रक्रिया
सब्सट्रेटरको तयारी: काँचका साथै काँचहरू जस्ता पारदर्शी प्रतिस्थापनहरू चयन गर्नुहोस् जस्तै जैविक गिलास फिल्म, र धूम्रपान गर्ने उपचार -} नि: शुल्क सतह सुनिश्चित गर्न। यदि आवश्यक छ भने, एकल {}}} सहायता वा डबल {}}}}} सहायता प्रदर्शन प्रदर्शन गर्न को लागी प्रदर्शन गर्न सकिन्छ।
Preparation of film precursor: tetraethoxysilane (TEOS) and tetrabutyl titanate (TBT) are added to ethanol containing NH ₄ OH in a certain proportion, and the reaction is held for 9-12 hours to obtain a transparent sol - gel system.
कोटिंग र उपचार: तयारी सुल जेल प्रणालीलाई समान रूपमा पारदर्शी प्रतिस्थापनमा काटिएको छ, र स्पिन कोटिंग, माझ्ने र अन्य योजनाहरू प्रयोग गर्न सकिन्छ। कोटिंग गरेपछि, हाइब्रिड साइज ₂ / tio ₂ फिल्म प्रिक्सनरलाई उपचारका लागि एक ओभनमा राखिन्छ र एक बहु-1}}}}}}}}।
गोलाकार कोटिंग: इच्छित एन्टी परावर्तनशील प्रभाव प्राप्त नभएसम्म कोटिंग र उपचार प्रक्रिया दोहोर्याउनुहोस्। बिभिन्न कोटिंग समय र अनुक्रमहरूले एन्टी पराबंकी फिल्महरूको प्रदर्शनमा, र अनुसन्धान र अनुकूलता आवश्यक छ।
सतहको उपचार: एन्टिटीको प्रतिबिम्बिक फिल्मको स्थायित्व र स्थायित्व बढाउन हाइड्रोफिलीली र हाइड्रोफोबिक बहुपत्ताको एक लेयरलाई एन्टिनेक्टिभ फिल्मको सतहमा सम्पन्न गर्न सकिन्छ।

इन्फ्रारेड एन्ट्रार्ड एन्ट्रेड एन्ट्रेन्स परावर्तनशील फिल्मको निर्माण प्रक्रिया
प्राविधिक प्रक्रिया
इन्फ्राड्रेड एन्ट्रा रिफ्र्याक्सन फिल्म सिलिकनमा आधारित छ र सब्सट्रेटको दुबै एन्टि रिक्सन फिल्महरूको साथ सम्पन्न भयो। एन्टिक्रिप्ट फिल्मको फिल्म प्रणाली संरचना एक अर्काको रूपमा (HL) ^ s को रूपमा स्वतन्त्र हुन्छ, एचएल्ड आधारभूत संरचना प्रतिनिधित्व गर्दछ, र s को मान 3--6 बीचको पूर्णांक हो। SI लेयर सब्सट्रेटमा छेउछाउमा छ, र SIO लेयर सतहमा अवस्थित छ। कोटिंग प्रक्रियाको बाहिरी तहको रूपमा सारियो फिल्म लेयरको साथ फिल्मर लेयरसँगको बाहिरी लेयरको रूपमा अनुकूल छ, जसमा कडा सतह कठोरता छ र कुनै थप सुरक्षा तहको आवश्यक पर्दैन। थप रूपमा, SIO सँग कम डिस्क्र्याक्ट्री सूचकांक छ, जसले सतर्क परावर्तन कम गर्न सक्दछ र थप थप विस्तार प्रसारण।

उच्च- तापमा- तापमान प्रतिरोधी को ₂ लेजर एन्टिटी परावर्तन फिल्म
प्राविधिक प्रक्रिया
सामग्री पूर्व पग्लिन्छ: पहिले प्री पिएलि ling उपचार उपचार येट्रिममा फ्लोरारोइड, क्याल्थियम YTTRIIM फ्लोरायरइड, र लिंकले फिल्म सामग्रीहरू भित्र अशुद्धताहरू हटाउनका लागि।
जम्मा फिल्म लेयर: पहिलो येट्रियम फ्लोरियम लेयर, YTTRIUM क्याल्सरिड लेयर, र दोस्रो यीमप्रवाह प्रवाह संरक्षित तहमा kncum वाष्पीकरण द्वारा क्रमशः र्यान्च प्रख्यात तहमा जम्मा गरिएको छ। प्रत्येक तहको कभरेज क्षेत्र सब्सट्रेटली लेयरको सतह क्षेत्र भन्दा माथि 95% भन्दा बढी छ। प्रत्येक तहका लागि भौतिक मोटाईटिकता आवश्यकताहरू निम्नानुसार छन्: पहिलो येट्राइम फ्लोरिडइड फार्मको भौतिक मोटाई 95 1-100 नानोमिटर हो; Ytterbium क्याल्सियम फ्लोराइड लेयरको भौतिक मोटाई 80600-8700 नानोमिटर हो; जिन्चको भौतिक मोटाई 2 2400-2500 नानोमिटर हो; दोस्रो येट्राइम फ्लोरायरइड तहको भौतिक मोटाई 95 -100 नानोमिटर हो।
 

प्राविधिक योग्यहरू
तयारी एन्टि एन्ट्क्यान झिल्लीको एक साधारण संरचना र उत्तम डिजाइन छ। चार तहको संयोजनमा उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च ट्रान्स ट्राफरानिंग, फर्म झिल्ली लेयर, प्रतिमा झरनात्मक तहको पूरक, र झिम्थितिआन लेयरहरूको जटिल तनावको पूरै तनाव र कम तनावको पूरै तनाव र जटिल तनावको पूरक छ। यसले उच्च तापमान सर्तहरू अन्तर्गत कम्पोनेन्टहरूको निरन्तर अपरेशन पूरा गर्न सक्दछ, र प्रत्येक तहमा प्रयोग गरिएका सामग्रीहरू गैर-रेडियोविद्को कारण हुँदैन, जसले अपरेटरहरू र वातावरणलाई नोक्सान पुर्याउँदैन।